粉體行業(yè)在線展覽
全自動晶片減薄機SGM-9100
面議
萬德思諾
全自動晶片減薄機SGM-9100
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產(chǎn)品圖片:
產(chǎn)品型號:
SGM-9100
產(chǎn)品介紹:
SGM-9100是一款適用于化合物半導(dǎo)體晶片中難研削材料、脆性材料的高精度CtoC全自動研削減薄機,加工軸采用2軸、3卡盤、旋轉(zhuǎn)臺方式。
加工方式采用間歇性,遞進式的in-feed研削法(面對面加工減少橫向壓力原因的裂紋發(fā)生率)。對加工中晶圓的厚度變化進行監(jiān)測,同時使用IPG制御系統(tǒng)對加工的厚度進行實時監(jiān)測管理。
特別一提,對應(yīng)φ8英寸的SiC的高效磨削,秀和的機器配備11?的高動力輸出的砂輪主軸電機,同時兼?zhèn)浞€(wěn)定高剛性。
秀和通過多年來大量的經(jīng)驗技術(shù)的沉淀,在針對第三代“寬禁帶半導(dǎo)體”化合物晶圓的研磨工藝領(lǐng)域,擁有業(yè)界**的自信,對不同材質(zhì),提供*適合砂輪磨石方案。
基本規(guī)格:
選配功能:
*需單獨溝通確認
SGM-9100 研削方法:
Infeed研削:晶圓吸附臺旋轉(zhuǎn)的同時,砂輪砥石軸也在反向旋轉(zhuǎn)中,在接觸的瞬間開始加工,但是加工領(lǐng)域只有半面晶圓IPG制御可對加工進程進行進行實時監(jiān)控與管理。以俯瞰的視點來看,加工軌跡是從中心向外延擴散開的。(面對面加壓研磨減?。?/span>
加工精度:
φ6”SiC *終研削后
?平坦度1.5μm
?Ra=1~2nm
生產(chǎn)能力:
例1 ) φ6” SiC器件研削時(單面處理)
?t=350μm→150μm
UPH/約13片
運行12小時 日產(chǎn)/156片
運行30天 月產(chǎn)/4680片
例2 ) φ6” SiC晶片研削時(雙面處理)
?t=450μm→350μm
UPH/約7片
運行12小時 日產(chǎn)/84片
運行30天 月產(chǎn)/2550片
優(yōu)勢:
化合物半導(dǎo)體晶片偏硬,偏脆的特性,在加工上比較困難,尤其是減薄加工工序難度更加一籌,秀和工業(yè)可以提供優(yōu)秀于其他廠家的減薄加工的專用設(shè)備。
優(yōu)先于同行業(yè)其他廠家,開發(fā)出IoT系統(tǒng),使用各種感應(yīng)功能,監(jiān)控和管理設(shè)備的運作狀態(tài)。量產(chǎn)工程中的故障可以提前感知,以提前預(yù)防做好保全工作。為客戶提供「安心」「安全」的產(chǎn)品。
半導(dǎo)體后工程的「貼附」「研削」「研磨」「剝離」相關(guān)的加工設(shè)備,業(yè)界里只有秀和工業(yè)全部都有涉獵,可以為客戶提供一體式設(shè)備解決方案。
工藝流程:
溶液成長法單晶生長設(shè)備(TSSG法)
中型高速研磨設(shè)備 STC-610
快速高溫退火設(shè)備RTA RSA-06
全自動晶片減薄機SGM-9100
桌上型精密切割機MPC-200e
MIST-CVD氧化物薄膜沉積設(shè)備 M150A
C2W低溫熱壓鍵合設(shè)備 SAFP
高還原性低溫熱壓對準鍵合設(shè)備 MAFP
高還原性低溫熱壓鍵合設(shè)備 FATB
碳膜濺射設(shè)備 CS-200
碳膜去除設(shè)備 NE-550EX
激活退火設(shè)備 Ailesic-2000
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設(shè)備
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
HSE系列等離子刻蝕機