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噴射化學氣相沉積設(shè)備(Spray CVD)

直接聯(lián)系

上海載德半導體技術(shù)有限公司

法國

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

關(guān)注度:

1460

產(chǎn)品介紹

噴射化學氣相沉積(Spray CVD)

產(chǎn)地:法國AS;

- 主要用于太陽能電池氧化物、半導體、電光涂層、絕緣層、超導體、固體燃料電池等的材料制備及薄膜沉積。

- 2inch小型噴射化學氣相沉積設(shè)備,主要用于實驗室。沉積及退火在同一個腔體內(nèi)完成。

性能和特點:

- 溫度范圍:室溫 ~ 1200攝氏度;

- *快升溫速度:250攝氏度/秒;

- 前驅(qū)體混合能力(帶有Atokit噴霧器);

- **真空度:10-6 Torr;

- 樣品尺寸:不大于2英寸;

產(chǎn)品咨詢

噴射化學氣相沉積設(shè)備(Spray CVD)

上海載德半導體技術(shù)有限公司

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噴射化學氣相沉積設(shè)備(Spray CVD) - 1460
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