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晶體提拉設(shè)備
面議
山東力冠
晶體提拉設(shè)備
408
產(chǎn)品概述/Product Introduction:
? 直拉法晶體生長(zhǎng)專(zhuān)用設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)在高壓、真空和保護(hù)氣氛下直拉生長(zhǎng)晶體
Special equipment for Czochralski crystal growth, which can realize Czochralski crystal growth under high pressure, vacuum and protective atmosphere
? 采用自動(dòng)稱(chēng)重結(jié)構(gòu),在保證晶體品質(zhì)的前提下實(shí)現(xiàn)了直拉晶體的自動(dòng)生長(zhǎng)過(guò)程
Adopting automatic weighing structure, the automatic growth process of Czochralski crystal is realized on the premise of ensuring crystal quality
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics:
? 高精度的傳感器和控制軟件
High precision sensor and control software
? 自動(dòng)控制晶體外形
Automatic control of crystal shape
? **溫度:2400℃
Maximum temperature: 2400℃
? 晶體尺寸:2-8英寸
crystal size: 2-8 inches
應(yīng)用范圍/Scope:
? 應(yīng)用于氧化家(Ga?O?)單晶生長(zhǎng),SiC單晶、激光單晶生長(zhǎng)
Applied to Gallium Oxide(Ga?O?)Single Crystal Growth, SiC Single Crystal Growth and Laser SingleCrystal Growth
產(chǎn)品咨詢(xún)
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石墨烯卷對(duì)卷設(shè)備
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晶體提拉設(shè)備
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LPCVD 臥式
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SiC高溫氧化設(shè)備
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)