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SiC高溫退火設備

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山東力冠微電子裝備有限公司

山東

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報價：

面議

品牌：

山東力冠

型號：

SiC高溫退火設備

關注度：

416

產(chǎn)品介紹

技術指標/Technical Indicators：

晶片尺寸: 4/6英寸

Wafer size: 4/6 inches

工作溫度范圍: 800-2000°C

Perating temperature range: 800-2000°C

裝片量: 50/80片

Loading capacity: 50/80 tablets

應用范圍/Scope：

? 用于SiC基半導體材料的離子激活和退火處理

lon activation and annealing treatment for SiC-based semiconductor materials

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SiC高溫退火設備

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SiC高溫退火設備 - 416

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