粉體行業(yè)在線展覽
化學氣相沉積PECVD系統(tǒng)
面議
創(chuàng)世杰
化學氣相沉積PECVD系統(tǒng)
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Orion III等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)
Orion III等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)可適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2”- 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產(chǎn)提供先進的沉積能力。
Orion III系統(tǒng)用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體:<20%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。
該設備可選配一個ICP或三極管(Triode)源。三極管使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,從而控制薄膜應力。
通過打開室蓋,直接將基片裝入工藝室。
MPCVD微波等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
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