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氮化鎵（GaN）MOCVD系統(tǒng)

直接聯(lián)系

上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司

上海

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報價：

面議

品牌：

上海翱晶

型號：

氮化鎵（GaN）MOCVD系統(tǒng)

關(guān)注度：

234

產(chǎn)品介紹

GaN 6寸/8寸外延爐

EPIREVO G8是日本株式會社東芝的子公司紐富萊（NuFlare）的主要產(chǎn)品之一。

EPIREVO G8通過在在200㎜Si襯底上高質(zhì)量的高速成膜，

從而降低功率器件和RF器件成本的MOCVD裝置，為實現(xiàn)低碳社會做出貢獻。

高生產(chǎn)性

GaN膜能夠達到9μm/hour以上的高速生長

能夠達到200℃/minute以上的高速升溫

高品質(zhì)

200mm晶片面內(nèi)2度以內(nèi)的**溫度分布

低成本

TMG可以達到20%以上的高利用率

In-Situ清潔功能帶來的高生產(chǎn)效率

產(chǎn)品咨詢

氮化鎵（GaN）MOCVD系統(tǒng)

上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司

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