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氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備立式

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山東力冠微電子裝備有限公司

山東

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

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品牌：

山東力冠

型號(hào)：

氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備立式

關(guān)注度：

584

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：

? 基礎(chǔ)工藝包

Basic process package

1.氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng)尺寸: 2英寸

Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches

2.單晶生長(zhǎng)速率:≥50微米/小時(shí)

Single crystal growth rate:≥50 microns/hour

3.藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)氮化鎵(GaN)單晶層厚度: < 200微米

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氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備立式

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