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美國SVT大容量閥控源

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產(chǎn)品介紹

SVT 閥控沉積源可精確控制高蒸汽壓材料的束流。其獨(dú)特地閥門設(shè)計(jì)，使該源具有很好的工藝重復(fù)性以及束流反應(yīng)即時(shí)性。驅(qū)動閥門可選，可實(shí)現(xiàn)自動工藝控制。

閥控沉積源與束流分流口相連，可以在很大面積的襯底上沉積。分流口光闌可以調(diào)節(jié)束流形狀，是太陽能電池以及OLED沉積工藝的**選擇。分流口可與襯底非常接近，因此提高了沉積速率。

增加熱激發(fā)區(qū)域可選，此區(qū)域可以提高多原子大分子的活性。熱激發(fā)的分子降低了材料消耗，提高了材料質(zhì)量以及S和Se的結(jié)合力。

針閥設(shè)計(jì)可以精確控制高蒸汽壓材料的束流

熱激發(fā)部件可選，可提高材料結(jié)合力

可客戶定制分流口

源容量大，適于長期生長

是太陽能電池和OLED應(yīng)用領(lǐng)域的**選擇

饋入法蘭	4.5’’(DN63)CF 法蘭(其它尺寸可選)
**體蒸發(fā)溫度	450^oC，500^oC除氣
分流口**溫度	700^oC，900^oC除氣
源溫度穩(wěn)定性	+/- 0.1^oC
熱偶類型	K型
電接插件	大氣下的燈絲：Amphenol環(huán)形燈絲 T/C:Omega亞微型
烘烤溫度	200^oC
束流穩(wěn)定性	<1%，帶有集成束流傳感器
**操作環(huán)境壓強(qiáng)	1X10^-4Torr
沉積均一性	+/-6%(源與襯底距離300mm) +/-4%(源與襯底距離200mm)
加熱時(shí)間	400^oC< 60min
冷卻時(shí)間	100^oC <120分鐘

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