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電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHD600
面議
北京泰科諾
電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHD600
18
設(shè)備型號(hào):ZHD600
鍍膜方式:多源蒸發(fā)鍍膜
真空腔室結(jié)構(gòu):立式圓柱前開門
真空腔室尺寸:Φ650mm×H800mm
加熱溫度:室溫~ 300℃
基片臺(tái)尺寸:平板或傘罩型
膜厚不均勻性:≤ ±5.0%
蒸發(fā)源:2-3 組金屬蒸發(fā)源
控制方式:PLC/PC(可選)
占地面積:主機(jī) L1000mm×W1200mm×H1900mm
總功率:≥ 12kW
大專院校、科研院所及企業(yè)進(jìn)行薄膜新材料的科研與小批量制備 。
1. 設(shè)備一體化設(shè)計(jì),占地面積小,性價(jià)比高,性能穩(wěn)定,使用維護(hù)成本低;
2. 設(shè)備配備多組蒸發(fā)源,兼容有機(jī)蒸發(fā)與無機(jī)蒸發(fā) , 多源共蒸獲得復(fù)合膜。設(shè)計(jì)專業(yè),功能強(qiáng)大,性能穩(wěn)定;
3. 適用于實(shí)驗(yàn)室制備金屬單質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、有機(jī)膜,也可用于生產(chǎn)線前期工藝試驗(yàn)等。
納米超硬膜涂層設(shè)備GDM1000
納米超硬膜涂層設(shè)備GDM900
粉體鍍膜設(shè)備JGCF1000
粉體鍍膜設(shè)備JGCF800
粉體鍍膜設(shè)備JGCF350
真空退火爐/釬焊爐VTHK550
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP500 高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCPY500
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備TEMD600
電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHDS500
電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHDS400
電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHD600
電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備.
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037