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碳化硅激光垂直剝離設備

碳化硅激光垂直剝離設備

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北京晶飛半導體科技有限公司

北京

產品規(guī)格型號
參考報價：

面議

品牌：

北京晶飛

型號：

碳化硅激光垂直剝離設備

關注度：

278

產品介紹

加工材料 SiC晶錠

切割尺寸(inch) 4/6/8/

**切割厚度(mm) 50

材料損耗 100-160um

切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45

重復定位精度(μm) ±0.5

長寬高(mm) 1770×1720×1985

加工工藝

碳化硅激光垂直剝離設備采用的加工工藝是使用激光剝離取代傳統(tǒng)的線切割模式

產品1-1.jpg


加工效果

1剝離后6英寸半絕緣晶錠與晶圓.jpg1垂直剝離后8英寸導電型晶錠與晶圓.jpg
剝離后6英寸半絕緣晶錠與晶圓垂直剝離后8英寸導電型晶錠與晶圓


技術規(guī)格

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產品咨詢

碳化硅激光垂直剝離設備

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碳化硅激光垂直剝離設備 - 278
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